光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810177618.X

申请日：

2008-11-17

公开(公告)号：

CN101441404A

公开(公告)日：

2009-05-27

发明(设计)人：

世良博宫田崇

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F100

IPC分类号：

H01L29786 H01L2177

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

雒运朴;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101025283929 IPC(主分类):G03F 1/00 专利申请号:200810177618X 申请日:20081117
2013-01-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101507995518 IPC(主分类):G03F 1/00 专利申请号:200810177618X 申请公布日:20090527
2009-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

黑川宗高 ;

上坂胜己 ;

上村浩 .

日本专利 :CN120165294A ,2025-06-17

[2]

光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 [P].

井上大辅 ;

青山康之祐 .

中国专利 :CN118739028A ,2024-10-01

[3]

半导体装置、半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法、以及半导体模块 [P].

白水政孝 ;

秦浩公 ;

王亚哲 .

中国专利 :CN105097719A ,2015-11-25

[4]

半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

木村龙一 .

中国专利 :CN103367601A ,2013-10-23

[5]

半导体装置、半导体模组及半导体装置的制造方法 [P].

大泽青吾 ;

大仓康嗣 .

中国专利 :CN115699296A ,2023-02-03

[6]

光半导体装置及光半导体装置的制造方法 [P].

一仓启慈 ;

新关彰一 .

中国专利 :CN109643748A ,2019-04-16

[7]

光半导体装置的制造方法及光半导体装置 [P].

东内智子 ;

高根信明 ;

山浦格 ;

稻田麻希 ;

横田弘 .

中国专利 :CN104350620A ,2015-02-11

[8]

光半导体装置及光半导体装置的制造方法 [P].

一仓启慈 .

中国专利 :CN110521011B ,2019-11-29

[9]

半导体装置及光掩模 [P].

河村大辅 ;

小池豪 .

中国专利 :CN114121974A ,2022-03-01

[10]

光半导体装置用封装、光半导体装置及光半导体装置用封装的制造方法 [P].

福永隆博 ;

橘高明信 .

日本专利 :CN111247645B ,2024-04-26

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