用于制造晶片的装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911073157.6

申请日：

2019-11-05

公开(公告)号：

CN111146139A

公开(公告)日：

2020-05-12

发明(设计)人：

R·安扎隆 N·法拉泽托

申请人：

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

H01L21687

IPC分类号：

H01L2167 H01L2102

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

董莘

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/687 申请日:20191105
2020-05-12	公开	公开

共 50 条

[1]

支撑件和用于制造晶片的装置 [P].

R·安扎隆 ;

N·法拉泽托 .

中国专利 :CN210956633U ,2020-07-07

[2]

SiC晶片和SiC晶片的制造方法 [P].

长屋正武 ;

神田贵裕 ;

冈本武志 ;

鸟见聪 ;

野上晓 ;

北畠真 .

中国专利 :CN112513348A ,2021-03-16

[3]

用于测量晶片的装置和方法 [P].

S·韦斯 ;

S·密思 ;

C·魏格尔特 ;

T·贝克 .

德国专利 :CN118749058A ,2024-10-08

[4]

用于测量晶片的装置和方法 [P].

S·韦斯 ;

S·密思 ;

C·魏格尔特 ;

T·贝克 .

德国专利 :CN118786323A ,2024-10-15

[5]

用于测量晶片的装置和方法 [P].

T·贝克 ;

S·密思 ;

O·舒尔茨 ;

C·魏格尔特 ;

S·怀特 .

德国专利 :CN119022804A ,2024-11-26

[6]

用于处理晶片的装置和方法 [P].

P.林德纳 ;

P-O.杭维尔 .

中国专利 :CN103168350B ,2013-06-19

[7]

用于处理晶片的装置和方法 [P].

P.林德纳 ;

P-O.杭维尔 .

中国专利 :CN107978544A ,2018-05-01

[8]

激光加工装置和晶片的制造方法 [P].

山本凉兵 .

日本专利 :CN117583724A ,2024-02-23

[9]

用于保持晶片的容纳装置及用于将晶片对齐的装置和方法 [P].

M.温普林格 ;

T.瓦根莱特纳 ;

A.菲尔伯特 .

中国专利 :CN104658950B ,2015-05-27

[10]

用于晶片背面研磨的装置和方法 [P].

G·E·S·雷耶斯 ;

C·奥因 .

美国专利 :CN119526262A ,2025-02-28

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