用于测量晶片的装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380023524.X

申请日：

2023-01-25

公开(公告)号：

CN118786323A

公开(公告)日：

2024-10-15

发明(设计)人：

S·韦斯 S·密思 C·魏格尔特 T·贝克

申请人：

普雷茨特光电有限公司

申请人地址：

德国新伊森堡

IPC主分类号：

G01B9/02091

IPC分类号：

G01B11/06 G01B11/30 G02B7/182 G01B9/02055 G01B21/04 H01L21/66 G02B26/08 G02B26/10

代理机构：

北京市汉坤律师事务所 11602

代理人：

魏小薇;吴丽丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01B 9/02091申请日:20230125
2024-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

用于测量晶片的装置和方法 [P].

S·韦斯 ;

S·密思 ;

C·魏格尔特 ;

T·贝克 .

德国专利 :CN118749058A ,2024-10-08

[2]

用于测量晶片的装置和方法 [P].

T·贝克 ;

S·密思 ;

O·舒尔茨 ;

C·魏格尔特 ;

S·怀特 .

德国专利 :CN119022804A ,2024-11-26

[3]

用于在半导体晶片抛光时测量晶片特性的装置和方法 [P].

R·D·贝纳西 .

中国专利 :CN101495325A ,2009-07-29

[4]

用于处理晶片的装置和方法 [P].

P.林德纳 ;

P-O.杭维尔 .

中国专利 :CN103168350B ,2013-06-19

[5]

用于处理晶片的装置和方法 [P].

P.林德纳 ;

P-O.杭维尔 .

中国专利 :CN107978544A ,2018-05-01

[6]

用于制造晶片的装置和方法 [P].

R·安扎隆 ;

N·法拉泽托 .

中国专利 :CN111146139A ,2020-05-12

[7]

用于测量晶片的表面上的颗粒的装置和方法 [P].

金江山 ;

李在德 .

中国专利 :CN111211062A ,2020-05-29

[8]

用于测量晶片的表面上的颗粒的装置和方法 [P].

金江山 ;

李在德 .

韩国专利 :CN111211062B ,2024-02-23

[9]

位置测量装置和用于运行位置测量装置的方法 [P].

英戈·约阿希姆斯塔勒 ;

约翰内斯·索爱尔 .

中国专利 :CN110579192A ,2019-12-17

[10]

用于保持晶片的容纳装置及用于将晶片对齐的装置和方法 [P].

M.温普林格 ;

T.瓦根莱特纳 ;

A.菲尔伯特 .

中国专利 :CN104658950B ,2015-05-27

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