用于在半导体晶片抛光时测量晶片特性的装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780015069.X

申请日：

2007-03-29

公开(公告)号：

CN101495325A

公开(公告)日：

2009-07-29

发明(设计)人：

R·D·贝纳西

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

B44C122

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

蹇炜

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101553010089 IPC(主分类):B24B 49/12 专利申请号:200780015069X 申请公布日:20090729
2009-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法 [P].

W·亨泽尔 ;

R·莱纳 ;

H·施文克 .

中国专利 :CN1941290A ,2007-04-04

[2]

半导体晶片抛光装置和抛光方法 [P].

P·D·阿尔布雷克特 ;

Z·郭强 .

中国专利 :CN102046331A ,2011-05-04

[3]

半导体晶片,抛光装置和方法 [P].

E·博维奥 ;

P·科尔贝利尼 ;

M·莫尔甘蒂 ;

G·内格里 ;

P·D·阿尔布雷克特 .

中国专利 :CN1461251A ,2003-12-10

[4]

用于半导体晶片抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102034697A ,2011-04-27

[5]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102059640B ,2011-05-18

[6]

半导体晶片的抛光方法和装置 [P].

保罗·米勒 ;

海因里希·亨恩赫费尔 ;

曼弗雷德·图尔纳 ;

托马斯·希施赫尔特 ;

弗朗茨·芒斯 ;

克劳斯·勒特格 .

中国专利 :CN1185028A ,1998-06-17

[7]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205521A ,2011-10-05

[8]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

M·克斯坦 .

中国专利 :CN102189471A ,2011-09-21

[9]

半导体晶片和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·金勒 ;

G·施密特 ;

M·斯波恩 ;

M·卡恩 ;

J·斯泰恩布伦纳 ;

R·K·乔施 .

中国专利 :CN105185818B ,2015-12-23

[10]

半导体晶片测量装置和方法 [P].

肯尼思·斯蒂普莱斯 .

中国专利 :CN101142475A ,2008-03-12

← 1 2 3 4 5 →