外延片及其形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110149740.8
申请日
2011-06-03
公开(公告)号
CN102263178A
公开(公告)日
2011-11-30
发明(设计)人
李园 赵东晶
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区清华大学西北小区6-313号
IPC主分类号
H01L3322
IPC分类号
H01L3302 H01L3300
代理机构
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人
张大威
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
LED的形成方法 [P]. 
李园 ;
赵东晶 .
中国专利 :CN102231414A ,2011-11-02
[2]
外延结构及其形成方法 [P]. 
陈孟谷 ;
林宏达 ;
蔡邦彦 ;
张惠政 .
中国专利 :CN104347365A ,2015-02-11
[3]
一种LED外延片及其形成方法 [P]. 
陈飞 .
中国专利 :CN103915534A ,2014-07-09
[4]
一种外延片的形成方法及外延片 [P]. 
刘英策 ;
火东明 .
中国专利 :CN102468142B ,2012-05-23
[5]
LED外延片、LED结构及LED结构的形成方法 [P]. 
王楚雯 ;
赵东晶 .
中国专利 :CN102122691B ,2011-07-13
[6]
带浅表外延层的外延片形成方法及其外延片 [P]. 
吴小利 ;
许丹 .
中国专利 :CN101777498A ,2010-07-14
[7]
外延片及其制造方法 [P]. 
三浦祥纪 ;
藤田庆一郎 ;
竹本菊郎 ;
松岛政人 ;
松原秀树 ;
高岸成典 ;
关寿 ;
纐缬明伯 .
中国专利 :CN1134037A ,1996-10-23
[8]
外延片形成方法及使用该方法形成的外延片 [P]. 
吴小利 ;
许丹 .
中国专利 :CN101673673A ,2010-03-17
[9]
GaN基LED外延片及其形成方法 [P]. 
陈飞 .
中国专利 :CN104347763B ,2015-02-11
[10]
GaN基LED外延片及其形成方法 [P]. 
肖怀曙 ;
谢春林 .
中国专利 :CN104518057A ,2015-04-15