基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721158538.0

申请日：

2017-09-11

公开(公告)号：

CN207622713U

公开(公告)日：

2018-07-17

发明(设计)人：

牟笑静窦韶旭齐梦珂

申请人：

申请人地址：

400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

G01B1704

IPC分类号：

H03H925

代理机构：

重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211

代理人：

顾晓玲

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN107462192A ,2017-12-12

[2]

基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN207585556U ,2018-07-06

[3]

一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN207585802U ,2018-07-06

[4]

一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN107504927A ,2017-12-22

[5]

一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN107504927B ,2024-04-19

[6]

一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN107621317A ,2018-01-23

[7]

基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN207515946U ,2018-06-19

[8]

基于AlN压电薄膜的无线无源声表面波高温应变传感器 [P].

王文 ;

范淑瑶 ;

李学玲 ;

贾雅娜 ;

梁勇 .

中国专利 :CN110307811A ,2019-10-08

[9]

声表面波应变传感器及其制备方法 [P].

谭秋林 ;

杨子锋 ;

闫夏雯 ;

张磊 ;

熊继军 .

中国专利 :CN112857276A ,2021-05-28

[10]

声表面波应变传感器的封装结构 [P].

游瑞煌 .

中国专利 :CN203534544U ,2014-04-09

← 1 2 3 4 5 →