一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710812303.7

申请日：

2017-09-11

公开(公告)号：

CN107621317A

公开(公告)日：

2018-01-23

发明(设计)人：

牟笑静窦韶旭齐梦珂

申请人：

申请人地址：

400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

G01L122

IPC分类号：

代理机构：

重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211

代理人：

顾晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01L 1/22 申请日:20170911
2018-01-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN207585802U ,2018-07-06

[2]

基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN207515946U ,2018-06-19

[3]

一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN107631827A ,2018-01-26

[4]

一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN107462192A ,2017-12-12

[5]

基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN207622713U ,2018-07-17

[6]

一种声表面波高温压力传感器及传感器芯片制备方法 [P].

方续东 ;

曹佳琦 ;

吴晨 ;

孙昊 ;

方子艳 ;

王宁 ;

江晓星 ;

李晓凯 ;

张仲恺 ;

田边 ;

蒋庄德 .

中国专利 :CN117571168A ,2024-02-20

[7]

一种声表面波高温压力传感器 [P].

韦学勇 ;

王雨晨 ;

李兵 ;

任子明 ;

赵明辉 ;

蒋庄德 .

中国专利 :CN112945430A ,2021-06-11

[8]

声表面波温度和压力传感器 [P].

索召和 ;

王云灵 ;

李志刚 ;

李晶 ;

曹占生 .

中国专利 :CN204439245U ,2015-07-01

[9]

一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN107504927A ,2017-12-22

[10]

一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法 [P].

牟笑静 ;

窦韶旭 ;

齐梦珂 .

中国专利 :CN107504927B ,2024-04-19

← 1 2 3 4 5 →