浅沟槽隔离结构形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010278674.X
申请日
2010-09-10
公开(公告)号
CN101937862A
公开(公告)日
2011-01-05
发明(设计)人
胡正军
申请人
申请人地址
201210 上海市张江高斯路497号
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
郑玮
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
浅沟槽隔离结构形成方法 [P]. 
张瑛 ;
林伟铭 ;
吴晓丽 .
中国专利 :CN102148182B ,2011-08-10
[2]
浅沟槽隔离结构形成方法 [P]. 
张瑛 ;
林伟铭 .
中国专利 :CN102148181A ,2011-08-10
[3]
浅沟槽隔离结构形成方法 [P]. 
雷强 ;
沈亮 ;
高喜峰 .
中国专利 :CN102456606A ,2012-05-16
[4]
浅沟槽隔离结构形成方法 [P]. 
何永根 ;
涂火金 .
中国专利 :CN102468212B ,2012-05-23
[5]
浅沟槽隔离结构形成方法 [P]. 
杨芸 ;
洪中山 .
中国专利 :CN102412182B ,2012-04-11
[6]
浅沟槽隔离结构形成方法 [P]. 
杨芸 ;
洪中山 .
中国专利 :CN102412181A ,2012-04-11
[7]
浅沟槽隔离结构形成方法 [P]. 
李亮 ;
何永根 ;
涂火金 .
中国专利 :CN102468211B ,2015-01-21
[8]
浅沟槽隔离结构的形成方法 [P]. 
林竞尧 ;
肖春光 .
中国专利 :CN101197304A ,2008-06-11
[9]
浅沟槽隔离形成方法 [P]. 
王乐 .
中国专利 :CN102263052B ,2011-11-30
[10]
浅沟槽隔离结构的形成方法 [P]. 
王飞飞 ;
张继亮 ;
李小康 ;
王裕晓 .
中国专利 :CN113223995A ,2021-08-06