浅沟槽隔离结构形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010111178.5

申请日：

2010-02-10

公开(公告)号：

CN102148181A

公开(公告)日：

2011-08-10

发明(设计)人：

张瑛林伟铭

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101679306253 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2010101111785 变更事项:申请人变更前:上海宏力半导体制造有限公司变更后:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后:201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
2013-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101377717512 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2010101111785 申请日:20100210
2011-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

胡正军 .

中国专利 :CN101937862A ,2011-01-05

[2]

浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

李亮 ;

何永根 ;

涂火金 .

中国专利 :CN102468211B ,2015-01-21

[3]

浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

张瑛 ;

林伟铭 ;

吴晓丽 .

中国专利 :CN102148182B ,2011-08-10

[4]

浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

雷强 ;

沈亮 ;

高喜峰 .

中国专利 :CN102456606A ,2012-05-16

[5]

浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

何永根 ;

涂火金 .

中国专利 :CN102468212B ,2012-05-23

[6]

浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

杨芸 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102412182B ,2012-04-11

[7]

浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

杨芸 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102412181A ,2012-04-11

[8]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN101996923A ,2011-03-30

[9]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

杨贵璞 ;

王坚 ;

王晖 .

中国专利 :CN105304549A ,2016-02-03

[10]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

熊磊 ;

奚裴 .

中国专利 :CN103021924A ,2013-04-03

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