一种铁电场效应晶体管存储器件结构

被引:0
申请号
CN202210081555.8
申请日
2022-01-24
公开(公告)号
CN114420647A
公开(公告)日
2022-04-29
发明(设计)人
孙静 龚希文 谢斌 贺聘彬 苏焱鸿 钟紫晴
申请人
申请人地址
411104 湖南省湘潭市福星东路88号
IPC主分类号
H01L23057
IPC分类号
H01L23544 H01L2300 H05K118 G11C1140
代理机构
广州速正专利代理事务所(普通合伙) 44584
代理人
钟水祥
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法 [P]. 
蔡道林 ;
李平 ;
张树人 .
中国专利 :CN101000926A ,2007-07-18
[2]
存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法 [P]. 
林孟汉 ;
黄家恩 ;
贾汉中 ;
刘逸青 ;
杨世海 ;
王奕 .
中国专利 :CN113380892A ,2021-09-10
[3]
铁电场效应晶体管、存储器件和神经网络器件 [P]. 
柳时正 ;
金东勋 ;
金尚昱 ;
南胜杰 ;
杨智恩 ;
崔德铉 .
韩国专利 :CN120379305A ,2025-07-25
[4]
存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法 [P]. 
林孟汉 ;
黄家恩 ;
贾汉中 ;
刘逸青 ;
杨世海 ;
王奕 .
中国专利 :CN113380892B ,2024-04-09
[5]
铁电场效应晶体管及其制备方法、存储器件 [P]. 
康晋锋 ;
宋旭锦 ;
孙迪江 ;
虞晨曦 ;
李尚泽 ;
周正 ;
刘晓彦 .
中国专利 :CN117976722A ,2024-05-03
[6]
一种基于环栅结构的铁电场效应晶体管的存储器件 [P]. 
姜鹏飞 ;
徐盼 ;
罗庆 .
中国专利 :CN120201724A ,2025-06-24
[7]
铁电场效应晶体管、存储器器件和神经网络器件 [P]. 
柳时正 ;
南胜杰 ;
金东勋 ;
李泫宰 ;
崔德铉 ;
崔硕训 .
韩国专利 :CN119855191A ,2025-04-18
[8]
铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P]. 
姜鹏飞 ;
徐盼 ;
彭学阳 ;
罗庆 .
中国专利 :CN121152214A ,2025-12-16
[9]
铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P]. 
姜鹏飞 ;
徐盼 ;
杨阳 ;
彭学阳 ;
罗庆 .
中国专利 :CN121126789A ,2025-12-12
[10]
垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管 [P]. 
田博博 ;
冯光迪 ;
朱秋香 ;
褚君浩 ;
段纯刚 .
中国专利 :CN114999919A ,2022-09-02