存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110602234.3

申请日：

2021-05-31

公开(公告)号：

CN113380892B

公开(公告)日：

2024-04-09

发明(设计)人：

林孟汉黄家恩贾汉中刘逸青杨世海王奕

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/51 H10B51/30 G11C11/22

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-09	授权	授权

共 50 条

[1]

存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 ;

贾汉中 ;

刘逸青 ;

杨世海 ;

王奕 .

中国专利 :CN113380892A ,2021-09-10

[2]

铁电场效应晶体管及其制备方法、存储器件 [P].

康晋锋 ;

宋旭锦 ;

孙迪江 ;

虞晨曦 ;

李尚泽 ;

周正 ;

刘晓彦 .

中国专利 :CN117976722A ,2024-05-03

[3]

铁电场效应晶体管、存储器件和神经网络器件 [P].

柳时正 ;

金东勋 ;

金尚昱 ;

南胜杰 ;

杨智恩 ;

崔德铉 .

韩国专利 :CN120379305A ,2025-07-25

[4]

铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法 [P].

蔡道林 ;

李平 ;

张树人 .

中国专利 :CN101000926A ,2007-07-18

[5]

铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P].

姜鹏飞 ;

徐盼 ;

彭学阳 ;

罗庆 .

中国专利 :CN121152214A ,2025-12-16

[6]

铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P].

姜鹏飞 ;

徐盼 ;

杨阳 ;

彭学阳 ;

罗庆 .

中国专利 :CN121126789A ,2025-12-12

[7]

一种铁电场效应晶体管存储器件结构 [P].

孙静 ;

龚希文 ;

谢斌 ;

贺聘彬 ;

苏焱鸿 ;

钟紫晴 .

中国专利 :CN114420647A ,2022-04-29

[8]

铁电场效应晶体管、存储器器件和神经网络器件 [P].

柳时正 ;

南胜杰 ;

金东勋 ;

李泫宰 ;

崔德铉 ;

崔硕训 .

韩国专利 :CN119855191A ,2025-04-18

[9]

垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管 [P].

田博博 ;

冯光迪 ;

朱秋香 ;

褚君浩 ;

段纯刚 .

中国专利 :CN114999919A ,2022-09-02

[10]

铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器 [P].

林高波 ;

玉虓 .

中国专利 :CN116344345B ,2025-10-21

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