生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320312722.1

申请日：

2013-05-31

公开(公告)号：

CN203339207U

公开(公告)日：

2013-12-11

发明(设计)人：

李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊

申请人：

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3312

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-11	授权	授权

共 50 条

[1]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片及制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN103296157A ,2013-09-11

[2]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339168U ,2013-12-11

[3]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339209U ,2013-12-11

[4]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨美娟 .

中国专利 :CN206225393U ,2017-06-06

[5]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339206U ,2013-12-11

[6]

生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 .

中国专利 :CN206116445U ,2017-04-19

[7]

生长在Zr衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983321U ,2014-12-03

[8]

生长在W衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983319U ,2014-12-03

[9]

生长在玻璃衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

王文樑 .

中国专利 :CN206422088U ,2017-08-18

[10]

生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 .

中国专利 :CN106257694A ,2016-12-28

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