生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310214607.5

申请日：

2013-05-31

公开(公告)号：

CN103296157A

公开(公告)日：

2013-09-11

发明(设计)人：

李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊

申请人：

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3312 H01L3300

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-11	公开	公开
2013-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101529129838 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2013102146075 申请日:20130531
2015-08-26	授权	授权

共 50 条

[1]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339207U ,2013-12-11

[2]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339168U ,2013-12-11

[3]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339209U ,2013-12-11

[4]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨美娟 .

中国专利 :CN206225393U ,2017-06-06

[5]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN103296159B ,2013-09-11

[6]

生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 .

中国专利 :CN106257694A ,2016-12-28

[7]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339206U ,2013-12-11

[8]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN103296158B ,2013-09-11

[9]

生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 .

中国专利 :CN206116445U ,2017-04-19

[10]

生长在Zr衬底上的LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104157756A ,2014-11-19

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