生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320312782.3

申请日：

2013-05-31

公开(公告)号：

CN203339209U

公开(公告)日：

2013-12-11

发明(设计)人：

李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊

申请人：

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3318 H01L310304

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-28	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722834130 IPC(主分类):H01L 33/32 专利号:ZL2013203127823 申请日:20130531 授权公告日:20131211 放弃生效日:20151028
2013-12-11	授权	授权

共 50 条

[1]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339168U ,2013-12-11

[2]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN103296158B ,2013-09-11

[3]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339207U ,2013-12-11

[4]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339206U ,2013-12-11

[5]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜及其制备方法、应用 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN103296066A ,2013-09-11

[6]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱 [P].

李国强 ;

朱运农 ;

李筱婵 .

中国专利 :CN206116446U ,2017-04-19

[7]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨美娟 .

中国专利 :CN206225393U ,2017-06-06

[8]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片及制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN103296157A ,2013-09-11

[9]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN103296159B ,2013-09-11

[10]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱 [P].

李国强 ;

杨美娟 ;

林云昊 ;

李媛 .

中国专利 :CN206225392U ,2017-06-06

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