用于半导体晶片检验的缺陷标记

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780055520.4

申请日：

2017-09-26

公开(公告)号：

CN109690748B

公开(公告)日：

2019-04-26

发明(设计)人：

D·W·肖特 S·R·朗格魏军伟 D·卡普 C·阿姆斯登

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘丽楠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-28	授权	授权
2019-04-26	公开	公开
2019-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20170926

共 50 条

[1]

半导体晶片缺陷检验系统及半导体晶片图像对准的方法 [P].

D·道林 ;

T·辛格 ;

B·布拉尔 ;

S·巴塔查里亚 ;

B·曼蒂普利 ;

李胡成 ;

李晓春 ;

S·S·帕克 .

中国专利 :CN112789713B ,2021-05-11

[2]

用于半导体晶片检验的成像性能优化方法 [P].

J·内斯比特 ;

J·奈特 ;

T·鲁辛 ;

V·帕尔辛 ;

S·卢妮亚 ;

K·莱 ;

M·穆鲁加 ;

M·贝利 .

中国专利 :CN108140594B ,2018-06-08

[3]

基于系统缺陷的半导体晶片的引导式检验 [P].

约坦·索弗 ;

波阿斯·科恩 ;

萨尔·沙比 ;

伊莱·布克曼 .

中国专利 :CN110660694A ,2020-01-07

[4]

用于检验半导体晶片的方法和装置 [P].

池野泰教 ;

北原康利 ;

仓田俊辅 ;

菅义明 .

中国专利 :CN100477142C ,2006-08-16

[5]

半导体晶片的检验方法 [P].

成冈英树 .

中国专利 :CN1497697A ,2004-05-19

[6]

探测半导体晶片中缺陷的方法及半导体晶片缺陷探测系统 [P].

周崇斌 ;

陈衍成 ;

纪孟谷 ;

王俊文 ;

刘俊秀 .

中国专利 :CN113269709A ,2021-08-17

[7]

探测半导体晶片中缺陷的方法及半导体晶片缺陷探测系统 [P].

周崇斌 ;

陈衍成 ;

纪孟谷 ;

王俊文 ;

刘俊秀 .

中国专利 :CN113269709B ,2025-01-17

[8]

半导体晶片检验方法及其系统 [P].

陈建辉 ;

钟弘毅 ;

陈晓萌 .

中国专利 :CN112447542A ,2021-03-05

[9]

半导体晶片检验方法及其系统 [P].

陈建辉 ;

钟弘毅 ;

陈晓萌 .

中国专利 :CN112447542B ,2024-11-05

[10]

用于半导体晶片检验的三维成像 [P].

P·科尔钦 ;

R·达南 ;

P·梅斯热 .

中国专利 :CN109791897A ,2019-05-21

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