用于半导体晶片检验的三维成像

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780061620.8

申请日：

2017-10-05

公开(公告)号：

CN109791897A

公开(公告)日：

2019-05-21

发明(设计)人：

P·科尔钦 R·达南 P·梅斯热

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘丽楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20171005
2019-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

用于半导体晶片检验的成像性能优化方法 [P].

J·内斯比特 ;

J·奈特 ;

T·鲁辛 ;

V·帕尔辛 ;

S·卢妮亚 ;

K·莱 ;

M·穆鲁加 ;

M·贝利 .

中国专利 :CN108140594B ,2018-06-08

[2]

用于三维半导体结构的检验的缺陷发现及配方优化 [P].

S·巴塔查里亚 ;

D·夏尔马 ;

C·马厄 ;

华波 ;

P·梅斯热 ;

R·达南 .

中国专利 :CN109964116B ,2019-07-02

[3]

高密度三维半导体晶片封装 [P].

奇门·于 ;

廖智清 ;

赫姆·塔克亚尔 .

中国专利 :CN101322231B ,2008-12-10

[4]

用于测量三维半导体晶片上的掩埋缺陷的三维校准结构及方法 [P].

P·梅斯热 ;

R·M·丹恩 .

中国专利 :CN110326094A ,2019-10-11

[5]

用于半导体晶片检验的缺陷标记 [P].

D·W·肖特 ;

S·R·朗格 ;

魏军伟 ;

D·卡普 ;

C·阿姆斯登 .

中国专利 :CN109690748B ,2019-04-26

[6]

用于检验半导体晶片的方法和装置 [P].

池野泰教 ;

北原康利 ;

仓田俊辅 ;

菅义明 .

中国专利 :CN100477142C ,2006-08-16

[7]

三维半导体结构的可视化 [P].

A·J·罗森贝格 ;

J·伊洛雷塔 ;

T·G·奇乌拉 ;

A·吉里纽 ;

徐寅 ;

徐凯文 ;

J·亨奇 ;

A·贡德 ;

A·韦尔德曼 ;

列-关·里奇·利 ;

H·舒艾卜 .

美国专利 :CN111837226B ,2024-03-08

[8]

三维半导体结构的可视化 [P].

A·J·罗森贝格 ;

J·伊洛雷塔 ;

T·G·奇乌拉 ;

A·吉里纽 ;

徐寅 ;

徐凯文 ;

J·亨奇 ;

A·贡德 ;

A·韦尔德曼 ;

列-关·里奇·利 ;

H·舒艾卜 .

中国专利 :CN111837226A ,2020-10-27

[9]

半导体晶片的检验方法 [P].

成冈英树 .

中国专利 :CN1497697A ,2004-05-19

[10]

三维半导体结构和三维半导体结构的制备方法 [P].

郭帅 ;

左明光 ;

白世杰 .

中国专利 :CN116761419B ,2024-11-22

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