高密度三维半导体晶片封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680045630.4

申请日：

2006-11-01

公开(公告)号：

CN101322231B

公开(公告)日：

2008-12-10

发明(设计)人：

奇门·于廖智清赫姆·塔克亚尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2148

IPC分类号：

H01L23538 H01L25065 H01L2510 H01L2166

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘国伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-23	授权	授权
2016-08-03	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101736823306 IPC(主分类):H01L 21/48 专利号:ZL2006800456304 变更事项:专利权人变更前:桑迪士克科技公司变更后:桑迪士克科技有限责任公司变更事项:地址变更前:美国德克萨斯州变更后:美国德克萨斯州
2009-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-10-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101456576351 IPC(主分类):H01L 21/48 专利号:ZL2006800456304 变更事项:专利权人变更前权利人:桑迪士克股份有限公司变更后权利人:桑迪士克科技公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国德克萨斯州登记生效日:20120913
2008-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

高密度半导体封装结构 [P].

曹凯 ;

王利明 .

中国专利 :CN202633290U ,2012-12-26

[2]

高密度半导体封装结构的封装方法 [P].

曹凯 ;

王利明 .

中国专利 :CN103515257A ,2014-01-15

[3]

具有高密度互连的半导体封装 [P].

A·A·埃尔谢尔比尼 ;

J·M·斯旺 ;

S·M·利夫 ;

H·布劳尼施 ;

K·巴拉斯 ;

J·索托冈萨雷斯 ;

J·A·法尔孔 .

中国专利 :CN109844945A ,2019-06-04

[4]

半导体晶片及半导体封装 [P].

李英志 ;

郭进成 ;

王永辉 ;

赖威宏 ;

王中鼎 ;

李晓燕 .

中国专利 :CN108022966A ,2018-05-11

[5]

用于半导体晶片检验的三维成像 [P].

P·科尔钦 ;

R·达南 ;

P·梅斯热 .

中国专利 :CN109791897A ,2019-05-21

[6]

高密度半导体结构 [P].

曾俊砚 ;

龙镜丞 ;

郭有策 ;

黄俊宪 ;

王淑如 .

中国专利 :CN107785370A ,2018-03-09

[7]

半导体晶片、半导体工艺和半导体封装 [P].

王永辉 .

中国专利 :CN104051392A ,2014-09-17

[8]

制造高密度半导体存储器件的方法 [P].

金奇南 .

中国专利 :CN1159760C ,2000-02-23

[9]

三维封装的半导体结构 [P].

刘峻 .

中国专利 :CN111863783A ,2020-10-30

[10]

高密度半导体存储器件 [P].

李宰圭 ;

姜荣珉 ;

李贤珠 .

中国专利 :CN103137173A ,2013-06-05

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