高密度半导体封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220285240.7

申请日：

2012-06-18

公开(公告)号：

CN202633290U

公开(公告)日：

2012-12-26

发明(设计)人：

曹凯王利明

申请人：

申请人地址：

215126 江苏省苏州市工业园区长阳街133号

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L23488

代理机构：

苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235

代理人：

杨林洁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	授权	授权
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101673080470 IPC(主分类):H01L 25/00 专利号:ZL2012202852407 申请日:20120618 授权公告日:20121226 终止日期:20150618

共 50 条

[1]

高密度半导体封装结构的封装方法 [P].

曹凯 ;

王利明 .

中国专利 :CN103515257A ,2014-01-15

[2]

高密度半导体结构 [P].

曾俊砚 ;

龙镜丞 ;

郭有策 ;

黄俊宪 ;

王淑如 .

中国专利 :CN107785370A ,2018-03-09

[3]

具有高密度互连的半导体封装 [P].

A·A·埃尔谢尔比尼 ;

J·M·斯旺 ;

S·M·利夫 ;

H·布劳尼施 ;

K·巴拉斯 ;

J·索托冈萨雷斯 ;

J·A·法尔孔 .

中国专利 :CN109844945A ,2019-06-04

[4]

高密度三维半导体晶片封装 [P].

奇门·于 ;

廖智清 ;

赫姆·塔克亚尔 .

中国专利 :CN101322231B ,2008-12-10

[5]

一种半导体封装电路的新型高密度框架结构 [P].

陈林 ;

郑天凤 ;

朱仕镇 ;

韩壮勇 ;

朱文锋 ;

吴富友 ;

刘志华 ;

刘群英 ;

朱海涛 ;

张团结 ;

王鹏飞 ;

曹丙平 ;

周贝贝 .

中国专利 :CN206806329U ,2017-12-26

[6]

半导体分立器件封装用高密度引线框架 [P].

殷仁平 ;

赵晖 .

中国专利 :CN223156030U ,2025-07-25

[7]

半导体分立器件封装用高密度引线框架 [P].

熊志 .

中国专利 :CN203521401U ,2014-04-02

[8]

高密度SIP封装结构 [P].

喻明凡 .

中国专利 :CN206003765U ,2017-03-08

[9]

SOT高密度封装结构 [P].

陈永金 ;

林河北 ;

解维虎 ;

梅小杰 .

中国专利 :CN216213424U ,2022-04-05

[10]

扇出高密度封装结构 [P].

陶玉娟 ;

石磊 .

中国专利 :CN201994290U ,2011-09-28

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