具有高密度互连的半导体封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680088848.1

申请日：

2016-09-30

公开(公告)号：

CN109844945A

公开(公告)日：

2019-06-04

发明(设计)人：

A·A·埃尔谢尔比尼 J·M·斯旺 S·M·利夫 H·布劳尼施 K·巴拉斯 J·索托冈萨雷斯 J·A·法尔孔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L25065

IPC分类号：

H01L2300 H01L23498 H01L23538

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

林金朝;王英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-04	公开	公开
2022-11-08	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 25/065 登记生效日:20221026 变更事项:申请人变更前权利人:英特尔公司变更后权利人:太浩研究有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚变更后权利人:爱尔兰都柏林
2019-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/065 申请日:20160930

共 50 条

[1]

包含高密度互连的半导体装置封装和堆叠封装组合件 [P].

约翰·理查德·杭特 ;

陈慈佑 ;

洪志斌 ;

王陈肇 .

中国专利 :CN107731787B ,2018-02-23

[2]

高密度半导体封装结构 [P].

曹凯 ;

王利明 .

中国专利 :CN202633290U ,2012-12-26

[3]

高密度半导体封装结构的封装方法 [P].

曹凯 ;

王利明 .

中国专利 :CN103515257A ,2014-01-15

[4]

包括具有高密度互连件的衬底的封装件 [P].

H·赵 ;

方堃 ;

J·杨 ;

S·黄 .

美国专利 :CN117981078A ,2024-05-03

[5]

包括具有高密度互连件的衬底的封装件 [P].

C-K·金 ;

K·康 ;

J·R·V·鲍特 .

美国专利 :CN117882189A ,2024-04-12

[6]

包括衬底和与其耦接的高密度互连结构的半导体封装 [P].

A·帕蒂尔 ;

Z·王 ;

卫洪博 .

美国专利 :CN115210867B ,2025-10-31

[7]

具有高密度互连层的电子封装件 [P].

小弗朗西斯·J·唐斯 ;

唐纳德·S·法夸尔 ;

伊丽莎白·福斯特 ;

罗伯特·M·雅皮 ;

杰拉尔德·W·琼斯 ;

约翰·S·克雷斯吉 ;

罗伯特·D·塞贝斯塔 ;

戴维·B·斯通 ;

詹姆斯·R·威尔科克斯 .

中国专利 :CN1304174A ,2001-07-18

[8]

高密度三维半导体晶片封装 [P].

奇门·于 ;

廖智清 ;

赫姆·塔克亚尔 .

中国专利 :CN101322231B ,2008-12-10

[9]

一种实现局部高密度互连的半导体封装结构及其制造方法 [P].

赵瑾 ;

于大全 .

中国专利 :CN118919517A ,2024-11-08

[10]

高密度半导体结构 [P].

曾俊砚 ;

龙镜丞 ;

郭有策 ;

黄俊宪 ;

王淑如 .

中国专利 :CN107785370A ,2018-03-09

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