插塞结构及其制作工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010253793.3

申请日：

2013-03-29

公开(公告)号：

CN111554659B

公开(公告)日：

2020-08-18

发明(设计)人：

洪庆文黄志森曹博昭

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L23528 H01L23532 H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-18	公开	公开
2020-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20130329
2022-05-24	授权	授权

共 50 条

[1]

插塞结构及其制作工艺 [P].

洪庆文 ;

黄志森 ;

曹博昭 .

中国专利 :CN104078445A ,2014-10-01

[2]

封装结构及其制作工艺 [P].

张贻善 ;

陈盈成 .

中国专利 :CN102064140A ,2011-05-18

[3]

汽车火花塞制作工艺 [P].

唐萍 .

中国专利 :CN105048292A ,2015-11-11

[4]

一种排插及其制作工艺 [P].

陈少锋 ;

谭亮坤 ;

林灼钊 ;

蒋劲施 ;

陈培鑫 ;

唐明荣 .

中国专利 :CN118412690B ,2025-10-03

[5]

一种排插及其制作工艺 [P].

陈少锋 ;

谭亮坤 ;

林灼钊 ;

蒋劲施 ;

陈培鑫 ;

唐明荣 .

中国专利 :CN118412690A ,2024-07-30

[6]

半导体结构及其制作工艺 [P].

刘志建 ;

张家隆 ;

陈哲明 ;

李瑞珉 ;

林育民 .

中国专利 :CN103515285A ,2014-01-15

[7]

半导体结构及其制作工艺 [P].

简俊贤 ;

刘汉诚 ;

张香鈜 ;

傅焕钧 ;

郭子荧 ;

蔡文力 .

中国专利 :CN102479770A ,2012-05-30

[8]

半导体结构及其制作工艺 [P].

蔡旻錞 ;

黄信富 ;

许启茂 ;

林进富 ;

陈健豪 ;

陈威宇 ;

孙启原 ;

谢雅雪 ;

郑存闵 .

中国专利 :CN103515421A ,2014-01-15

[9]

半导体结构及其制作工艺 [P].

廖晋毅 ;

简金城 .

中国专利 :CN103378130A ,2013-10-30

[10]

半导体结构及其制作工艺 [P].

李志成 ;

陈威任 ;

李凯霖 .

中国专利 :CN111697072A ,2020-09-22

← 1 2 3 4 5 →