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半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202011541274.3
申请日：
2020-12-23
公开(公告)号：
CN114664818A
公开(公告)日：
2022-06-24
发明(设计)人：
张海洋 陈卓凡 刘骁兵
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
H01L2348 H01L218234
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-12 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20201223
2022-06-24 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王胜 ;
王彦 .
中国专利 :CN114068452A ,2022-02-18
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
刘盼盼 .
中国专利 :CN113053739B ,2024-08-23
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
刘盼盼 .
中国专利 :CN113053751A ,2021-06-29
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN113782485A ,2021-12-10
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN113782485B ,2025-01-28
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
刘盼盼 .
中国专利 :CN113053739A ,2021-06-29
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
纪世良 ;
刘盼盼 .
中国专利 :CN113327857A ,2021-08-31
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
戚德奎 .
中国专利 :CN108630713A ,2018-10-09
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
纪世良 ;
肖杏宇 ;
张海洋 .
中国专利 :CN114068704B ,2024-03-22
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
金吉松 ;
苏柏青 ;
亚伯拉罕·庾 .
中国专利 :CN114512453A ,2022-05-17
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