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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010515978.7
申请日：
2020-06-09
公开(公告)号：
CN113782485B
公开(公告)日：
2025-01-28
发明(设计)人：
刘继全
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L23/528
H01L23/532
代理机构：
北京市一法律师事务所 11654
代理人：
刘荣娟
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-01-28 | 授权 | 授权 |