曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210644423.1

申请日：

2022-06-09

公开(公告)号：

CN114740687A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

季明华黄早红任新平林岳明

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国上海市临港新片区层林路688号1号楼5楼

IPC主分类号：

G03F126

IPC分类号：

G03F138 G03F720 G02B500

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-12	公开	公开
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/26 申请日:20220609

共 50 条

[1]

曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法 [P].

季明华 ;

黄早红 ;

任新平 ;

林岳明 .

中国专利 :CN114995068A ,2022-09-02

[2]

曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法 [P].

季明华 ;

黄早红 ;

任新平 ;

林岳明 .

中国专利 :CN114995068B ,2025-12-05

[3]

一种用于投影式光刻的掩模基版、光掩模及其制备方法 [P].

季明华 ;

黄早红 ;

林岳明 .

中国专利 :CN114839834A ,2022-08-02

[4]

掩模基版、光掩模版及其制备方法 [P].

季明华 ;

任新平 ;

黄早红 .

中国专利 :CN114995051A ,2022-09-02

[5]

掩模基版、光掩模版及其制备方法 [P].

季明华 ;

林岳明 ;

任新平 ;

黄早红 .

中国专利 :CN114911129A ,2022-08-16

[6]

一种有机光伏电池及其制备方法 [P].

刘若鹏 ;

赵治亚 ;

金曦 ;

张贤高 .

中国专利 :CN103035843A ,2013-04-10

[7]

EUV光掩模基版、EUV光掩模版及其制造方法、衬底回收方法 [P].

季明华 ;

黄早红 .

中国专利 :CN114815493A ,2022-07-29

[8]

超材料增强发光效率的蓝光发光二极管及其制备方法 [P].

郭志友 ;

彭麟杰 ;

苏哈 ;

杨亚峰 ;

孙慧卿 .

中国专利 :CN113066909B ,2021-07-02

[9]

一种表面等离子体增强量子阱红外探测器及其制备方法 [P].

陈良惠 ;

廖垠鑫 ;

宋国峰 ;

徐云 .

中国专利 :CN105870219A ,2016-08-17

[10]

反射型光掩模坯料、反射型光掩模及半导体装置的制造方法 [P].

金山浩一郎 ;

松尾正 ;

西山泰史 .

中国专利 :CN100454485C ,2007-11-14

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