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一种用于投影式光刻的掩模基版、光掩模及其制备方法

被引：0
申请号：
CN202210262229.7
申请日：
2022-03-16
公开(公告)号：
CN114839834A
公开(公告)日：
2022-08-02
发明(设计)人：
季明华 黄早红 林岳明
申请人：
申请人地址：
201306 上海市浦东新区中国上海市临港新片区层林路688号1号楼5楼
IPC主分类号：
G03F100
IPC分类号：
G03F126
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
罗泳文
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/00 申请日:20220316
2022-08-02 公开 公开
共 50 条
[1]
掩模基版、光掩模版及其制备方法 [P]. 
季明华 ;
任新平 ;
黄早红 .
中国专利 :CN114995051A ,2022-09-02
[2]
掩模基版、光掩模版及其制备方法 [P]. 
季明华 ;
林岳明 ;
任新平 ;
黄早红 .
中国专利 :CN114911129A ,2022-08-16
[3]
曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法 [P]. 
季明华 ;
黄早红 ;
任新平 ;
林岳明 .
中国专利 :CN114995068B ,2025-12-05
[4]
曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法 [P]. 
季明华 ;
黄早红 ;
任新平 ;
林岳明 .
中国专利 :CN114995068A ,2022-09-02
[5]
曝光光线频率增强装置、光掩模及其制备方法 [P]. 
季明华 ;
黄早红 ;
任新平 ;
林岳明 .
中国专利 :CN114740687A ,2022-07-12
[6]
EUV光掩模基版、EUV光掩模版及其制造方法、衬底回收方法 [P]. 
季明华 ;
黄早红 .
中国专利 :CN114815492A ,2022-07-29
[7]
EUV光掩模基版、EUV光掩模版及其制造方法、衬底回收方法 [P]. 
季明华 ;
黄早红 .
中国专利 :CN114815493A ,2022-07-29
[8]
一种表面等离子体光刻掩模版及其制备方法 [P]. 
罗先刚 ;
张涛 ;
高平 ;
赵博文 ;
徐建东 ;
郑博明 .
中国专利 :CN120949500A ,2025-11-14
[9]
一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法 [P]. 
罗先刚 ;
赵泽宇 ;
冯沁 ;
刘凯鹏 ;
王长涛 ;
高平 ;
杨磊磊 ;
刘玲 .
中国专利 :CN102629073A ,2012-08-08
[10]
曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机 [P]. 
季明华 ;
任新平 ;
黄早红 .
中国专利 :CN114859675A ,2022-08-05
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