一种半导体型单壁碳纳米管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810224320.X

申请日：

2008-10-17

公开(公告)号：

CN101386408A

公开(公告)日：

2009-03-18

发明(设计)人：

李彦刘宇金钟

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

C01B3102

IPC分类号：

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

周政

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101075677750 IPC(主分类):C01B 31/02 专利申请号:200810224320X 公开日:20090318
2009-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体型单壁碳纳米管提纯方法 [P].

雷霆 ;

王静怡 .

中国专利 :CN112591735B ,2021-04-02

[2]

一种单壁碳纳米管及其制备方法 [P].

张家松 ;

孙科乾 ;

张凌睿 ;

刘龙波 ;

王一涵 .

中国专利 :CN121063523A ,2025-12-05

[3]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李彦 ;

彭飞 ;

秦校军 ;

杨娟 .

中国专利 :CN103803522B ,2014-05-21

[4]

一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

潘春旭 ;

罗成志 ;

廖蕾 ;

万达 .

中国专利 :CN104944412B ,2015-09-30

[5]

一种半导体型单壁碳纳米管分离富集的方法 [P].

官轮辉 ;

吴初新 ;

缪育明 .

中国专利 :CN109592669B ,2019-04-09

[6]

隔离半导体单壁纳米管或金属单壁纳米管及其方法 [P].

Z·鲍 ;

I·波乔罗夫斯基 .

中国专利 :CN107636216B ,2018-01-26

[7]

一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法 [P].

张锦 ;

张永毅 ;

张依 ;

王星昱 ;

姜珊 ;

刘忠范 .

中国专利 :CN101195482B ,2008-06-11

[8]

一种单壁碳纳米管及其制备方法 [P].

杨劲松 ;

袁鑫鑫 ;

陈名海 ;

常艺 ;

徐乐乐 ;

梁晨 ;

陶宇轩 .

中国专利 :CN115924889B ,2025-02-18

[9]

一种单壁碳纳米管及其制备方法 [P].

周维 ;

洪辉辉 ;

程光浩 .

中国专利 :CN119038533B ,2025-07-01

[10]

一种单壁碳纳米管及其制备方法 [P].

周维 ;

洪辉辉 ;

程光浩 .

中国专利 :CN119038533A ,2024-11-29

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