一种侧蚀小的铜蚀刻液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710068593.9

申请日：

2017-02-08

公开(公告)号：

CN106757029A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

杜冰顾群艳梁豹鲍杰赵建龙张兵向文胜朱坤

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市千灯镇黄浦江路1647号

IPC主分类号：

C23F118

IPC分类号：

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

汤东凤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	公开	公开
2019-02-22	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C23F 1/18 变更事项:申请人变更前:昆山艾森半导体材料有限公司变更后:江苏艾森半导体材料股份有限公司变更事项:地址变更前:215300 江苏省苏州市昆山市千灯镇黄浦江路1647号变更后:215300 江苏省苏州市昆山市千灯镇黄浦江路1647号
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729165684 IPC(主分类):C23F 1/18 专利申请号:2017100685939 申请日:20170208

共 50 条

[1]

一种改善蚀刻形貌的铜钼蚀刻液及其制备方法 [P].

李浩 ;

李闯 ;

李瑶 ;

张红伟 ;

黄海东 ;

胡天齐 .

中国专利 :CN120945369A ,2025-11-14

[2]

一种厚铜蚀刻液 [P].

余娟娟 ;

王守飞 ;

吴际峰 ;

王维康 ;

何烨谦 ;

黄德新 ;

龚升 .

中国专利 :CN119465153A ,2025-02-18

[3]

一种无底切的铜蚀刻液 [P].

王锁 ;

吴际峰 ;

王维康 ;

何烨谦 ;

黄德新 ;

龚升 .

中国专利 :CN120384291A ,2025-07-29

[4]

一种铜蚀刻液 [P].

李少平 ;

蔡步林 ;

贺兆波 ;

张演哲 ;

张庭 ;

万杨阳 ;

王书萍 ;

冯凯 ;

尹印 .

中国专利 :CN110644001A ,2020-01-03

[5]

一种铜蚀刻液及其制备方法 [P].

钟昌东 ;

叶瑞 ;

贺兆波 ;

欧阳克银 ;

张庭 ;

张演哲 ;

黄锣锣 ;

黎鹏飞 ;

王荣 ;

彭俊杰 .

中国专利 :CN116240547B ,2024-03-12

[6]

一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法 [P].

王磊 ;

承明忠 ;

李森虎 ;

符佳立 ;

朱龙 ;

孔兴贤 .

中国专利 :CN115786915B ,2025-01-03

[7]

一种酸性铜蚀刻液及其制备方法 [P].

吴际峰 ;

王锁 ;

王维康 ;

何烨谦 ;

黄德新 ;

龚升 .

中国专利 :CN118653152A ,2024-09-17

[8]

一种中性铜蚀刻液及其制备方法 [P].

刘岩峰 ;

陈继航 .

中国专利 :CN113667978A ,2021-11-19

[9]

一种酸性铜蚀刻液及其制备方法 [P].

吴际峰 ;

王锁 ;

王维康 ;

何烨谦 ;

黄德新 ;

龚升 .

中国专利 :CN118653152B ,2024-11-22

[10]

一种铜蚀刻液组合物 [P].

乔正收 ;

王金城 .

中国专利 :CN111945163A ,2020-11-17

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