半导体紫外探测器及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211314513.0

申请日：

2022-10-25

公开(公告)号：

CN115548148A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

郑军刘智左玉华成步文

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L31032

IPC分类号：

H01L31105 H01L3118

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王文思

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20221025
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体红外探测器及其制备方法 [P].

郑军 ;

刘智 ;

成步文 .

中国专利 :CN115621339A ,2023-01-17

[2]

一种半导体紫外探测器芯片的外延结构及其制备方法、半导体紫外探测器芯片 [P].

黄小辉 ;

倪逸舟 .

中国专利 :CN113964218A ,2022-01-21

[3]

深紫外探测器及其制备方法 [P].

梅增霞 ;

侯尧楠 ;

梁会力 ;

叶大千 ;

刘尧平 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN103325858A ,2013-09-25

[4]

半导体探测器及半导体探测器制备方法 [P].

黎淼 ;

刘涵 ;

曾弘宇 ;

姚童 ;

谢应涛 ;

何丰 .

中国专利 :CN109298438B ,2019-02-01

[5]

一种紫外探测器及其制备方法 [P].

贺晨 ;

郑军 ;

崔金来 ;

吴亦旸 ;

成步文 .

中国专利 :CN118099260A ,2024-05-28

[6]

光电探测叠层、半导体紫外探测器及其制造方法 [P].

殷华湘 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102832269B ,2012-12-19

[7]

一种紫外探测器及其制备方法 [P].

周幸叶 ;

谭鑫 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

宋旭波 ;

梁士雄 ;

冯志红 .

中国专利 :CN110544731A ,2019-12-06

[8]

紫外探测器及其制备方法 [P].

梅增霞 ;

侯尧楠 ;

梁会力 ;

刘尧平 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN103346198A ,2013-10-09

[9]

紫外探测器及其制备方法 [P].

曹培江 ;

王庆 ;

栾迪 ;

吕有明 ;

朱德亮 ;

柳文军 ;

韩舜 ;

刘新科 ;

许望颖 ;

方明 ;

曾玉祥 .

中国专利 :CN112071949A ,2020-12-11

[10]

紫外探测器及其制备方法 [P].

汪莱 ;

郑纪元 ;

郝智彪 ;

罗毅 .

中国专利 :CN104167458A ,2014-11-26

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