光电探测叠层、半导体紫外探测器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110164384.7

申请日：

2011-06-17

公开(公告)号：

CN102832269B

公开(公告)日：

2012-12-19

发明(设计)人：

殷华湘陈大鹏

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L31112 H01L3118

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明;王宝筠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	公开	公开
2014-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582246718 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2011101643847 申请日:20110617
2016-06-22	授权	授权

共 50 条

[1]

紫外探测器的像素结构、紫外探测器系统及其制造方法 [P].

殷华湘 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102891150A ,2013-01-23

[2]

半导体光电探测器及其制造方法 [P].

杉山光弘 .

中国专利 :CN1238566A ,1999-12-15

[3]

半导体光电探测器 [P].

李艳青 ;

黄宁博 ;

侯作为 .

中国专利 :CN307562117S ,2022-09-23

[4]

半导体紫外探测器及其制备方法 [P].

郑军 ;

刘智 ;

左玉华 ;

成步文 .

中国专利 :CN115548148A ,2022-12-30

[5]

半导体光电探测器及制备方法 [P].

郑婉华 ;

李明明 ;

王天财 ;

宋春旭 ;

王亮 ;

杜晓宇 .

中国专利 :CN120322028A ,2025-07-15

[6]

半导体光电探测器及制备方法 [P].

郑婉华 ;

李明明 ;

王天财 ;

宋春旭 ;

王亮 ;

杜晓宇 .

中国专利 :CN120322028B ,2025-09-26

[7]

高速半导体光电探测器 [P].

艾伦·优吉恩·邦德 .

中国专利 :CN1327272A ,2001-12-19

[8]

一种半导体紫外探测器芯片的外延结构及其制备方法、半导体紫外探测器芯片 [P].

黄小辉 ;

倪逸舟 .

中国专利 :CN113964218A ,2022-01-21

[9]

半导体探测器头及其制造方法 [P].

V·卡玛莱南 .

中国专利 :CN104183654A ,2014-12-03

[10]

光电探测器及其制造方法 [P].

张毅 ;

H·阿贝戴斯尔 ;

A·J·齐尔基 .

中国专利 :CN112534590A ,2021-03-19

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