一种半导体紫外探测器芯片的外延结构及其制备方法、半导体紫外探测器芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111584136.8

申请日：

2021-12-23

公开(公告)号：

CN113964218A

公开(公告)日：

2022-01-21

发明(设计)人：

黄小辉倪逸舟

申请人：

申请人地址：

102629 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地永大路38号1幢4层409-14室

IPC主分类号：

H01L310304

IPC分类号：

H01L310352 H01L31105 H01L3118 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

霍苗

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-15	授权	授权
2022-01-21	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20211223

共 50 条

[1]

半导体紫外探测器芯片及其外延结构 [P].

黄小辉 ;

倪逸舟 .

中国专利 :CN113964224B ,2022-01-21

[2]

半导体紫外探测器及其制备方法 [P].

郑军 ;

刘智 ;

左玉华 ;

成步文 .

中国专利 :CN115548148A ,2022-12-30

[3]

半导体光电探测器芯片结构 [P].

王钢 ;

陈诗育 .

中国专利 :CN101183691A ,2008-05-21

[4]

半导体探测器及半导体探测器制备方法 [P].

黎淼 ;

刘涵 ;

曾弘宇 ;

姚童 ;

谢应涛 ;

何丰 .

中国专利 :CN109298438B ,2019-02-01

[5]

半导体光电探测器芯片的制备方法及光电探测器芯片 [P].

杨晓杰 .

中国专利 :CN118016756A ,2024-05-10

[6]

半导体紫外单光子探测器 [P].

张军 ;

余超 ;

刘乃乐 ;

陈宇翱 ;

潘建伟 .

中国专利 :CN217980561U ,2022-12-06

[7]

一种半导体探测器芯片探测方法 [P].

钟行 ;

岳爱文 ;

胡艳 ;

李晶 ;

赵建宜 .

中国专利 :CN109412685B ,2019-03-01

[8]

光电探测叠层、半导体紫外探测器及其制造方法 [P].

殷华湘 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102832269B ,2012-12-19

[9]

半导体光电探测器芯片及制备方法 [P].

杨炳 ;

朱永岩 ;

昝芳情 .

中国专利 :CN119170618A ,2024-12-20

[10]

半导体光电探测器芯片及制备方法 [P].

杨炳 ;

朱永岩 ;

昝芳情 .

中国专利 :CN119170618B ,2025-05-27

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