半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010864006.9

申请日：

2020-08-25

公开(公告)号：

CN114093870A

公开(公告)日：

2022-02-25

发明(设计)人：

陈龙阳吴公一

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260

代理人：

成丽杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200825
2022-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

锺光翔 .

中国专利 :CN115642139A ,2023-01-24

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

毛剑宏 ;

韩凤芹 ;

唐德明 .

中国专利 :CN102923636A ,2013-02-13

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

杨智超 ;

许履尘 ;

拉齐夫·V·约什 .

中国专利 :CN101483172A ,2009-07-15

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈逸男 ;

刘献文 ;

蔡子敬 .

中国专利 :CN101577243B ,2009-11-11

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112530946B ,2021-03-19

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 ;

骆志炯 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102299154A ,2011-12-28

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

李宁 .

中国专利 :CN112018039A ,2020-12-01

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

陶磊 ;

冯永波 ;

王厚有 ;

刘西域 .

中国专利 :CN111933572A ,2020-11-13

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114078816A ,2022-02-22

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