半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810095288.X

申请日：

2008-05-09

公开(公告)号：

CN101577243B

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

陈逸男刘献文蔡子敬

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L218247 H01L23522 H01L23532 H01L27115

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-11	公开	公开
2013-09-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

李一凡 ;

王振明 ;

苏柏青 ;

高培勋 ;

陈俤彬 ;

游峻伟 ;

吴志强 .

中国专利 :CN119630026A ,2025-03-14

[2]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

锺光翔 .

中国专利 :CN115642139A ,2023-01-24

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

毛剑宏 ;

韩凤芹 ;

唐德明 .

中国专利 :CN102923636A ,2013-02-13

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

杨智超 ;

许履尘 ;

拉齐夫·V·约什 .

中国专利 :CN101483172A ,2009-07-15

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112530946B ,2021-03-19

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

朱慧珑 ;

梁擎擎 ;

骆志炯 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102299154A ,2011-12-28

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈龙阳 ;

吴公一 .

中国专利 :CN114093870A ,2022-02-25

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

李宁 .

中国专利 :CN112018039A ,2020-12-01

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

陶磊 ;

冯永波 ;

王厚有 ;

刘西域 .

中国专利 :CN111933572A ,2020-11-13

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