半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311242928.6

申请日：

2023-09-25

公开(公告)号：

CN119630026A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

李一凡王振明苏柏青高培勋陈俤彬游峻伟吴志强

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王锐

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20230925

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘佳 ;

骆志炯 ;

王鹤飞 .

中国专利 :CN102347349A ,2012-02-08

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈逸男 ;

刘献文 ;

蔡子敬 .

中国专利 :CN101577243B ,2009-11-11

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

孔忠 ;

洪海涵 .

中国专利 :CN112864087A ,2021-05-28

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

许飞 ;

王梦慧 ;

杨宗凯 ;

陈信全 .

中国专利 :CN117790290B ,2024-06-07

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

李信宏 .

中国专利 :CN115347047A ,2022-11-15

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈语同 ;

林建名 ;

许传进 ;

何志伟 ;

何彦仕 .

中国专利 :CN106129026A ,2016-11-16

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

王勤 ;

杨征 .

中国专利 :CN118136644A ,2024-06-04

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

王鹤飞 ;

骆志炯 ;

刘佳 .

中国专利 :CN102456734B ,2012-05-16

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

邱达伟 ;

江品宏 ;

王家麟 ;

黄伟伦 ;

吕佳纹 ;

林岳璋 .

中国专利 :CN119028976A ,2024-11-26

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

李信宏 .

中国专利 :CN115347047B ,2025-11-21

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