半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610268753.X

申请日：

2016-04-27

公开(公告)号：

CN106129026A

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

陈语同林建名许传进何志伟何彦仕

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园市中坜区中坜工业区吉林路23号9楼

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L23488 H01L2352 H01L2331 H01L2160

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	公开	公开
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691558691 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:201610268753X 申请日:20160427
2018-11-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

许飞 ;

王梦慧 ;

杨宗凯 ;

陈信全 .

中国专利 :CN117790290B ,2024-06-07

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

李信宏 .

中国专利 :CN115347047A ,2022-11-15

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

王勤 ;

杨征 .

中国专利 :CN118136644A ,2024-06-04

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

王鹤飞 ;

骆志炯 ;

刘佳 .

中国专利 :CN102456734B ,2012-05-16

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

邱达伟 ;

江品宏 ;

王家麟 ;

黄伟伦 ;

吕佳纹 ;

林岳璋 .

中国专利 :CN119028976A ,2024-11-26

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

李信宏 .

中国专利 :CN115347047B ,2025-11-21

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

王路广 .

中国专利 :CN115312492A ,2022-11-08

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘佳 ;

骆志炯 ;

王鹤飞 .

中国专利 :CN102347349A ,2012-02-08

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

王晓玲 .

中国专利 :CN120547919A ,2025-08-26

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘苏涛 .

中国专利 :CN121126858A ,2025-12-12

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