半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110521137.1

申请日：

2021-05-13

公开(公告)号：

CN115347047B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

李信宏

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D30/64

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

许飞 ;

王梦慧 ;

杨宗凯 ;

陈信全 .

中国专利 :CN117790290B ,2024-06-07

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

李信宏 .

中国专利 :CN115347047A ,2022-11-15

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈语同 ;

林建名 ;

许传进 ;

何志伟 ;

何彦仕 .

中国专利 :CN106129026A ,2016-11-16

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

王勤 ;

杨征 .

中国专利 :CN118136644A ,2024-06-04

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

王鹤飞 ;

骆志炯 ;

刘佳 .

中国专利 :CN102456734B ,2012-05-16

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

邱达伟 ;

江品宏 ;

王家麟 ;

黄伟伦 ;

吕佳纹 ;

林岳璋 .

中国专利 :CN119028976A ,2024-11-26

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

王路广 .

中国专利 :CN115312492A ,2022-11-08

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘佳 ;

骆志炯 ;

王鹤飞 .

中国专利 :CN102347349A ,2012-02-08

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

王晓玲 .

中国专利 :CN120547919A ,2025-08-26

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

刘苏涛 .

中国专利 :CN121126858A ,2025-12-12

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