半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511666098.9

申请日：

2025-11-14

公开(公告)号：

CN121126858A

公开(公告)日：

2025-12-12

发明(设计)人：

刘苏涛

申请人：

合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/85

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

杨宏伟

法律状态：

公开

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-12	公开	公开
2025-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20251114

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

许飞 ;

王梦慧 ;

杨宗凯 ;

陈信全 .

中国专利 :CN117790290B ,2024-06-07

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

王路广 .

中国专利 :CN115312492A ,2022-11-08

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

许飞 ;

王梦慧 ;

杨宗凯 ;

陈信全 .

中国专利 :CN117790290A ,2024-03-29

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

李雄 .

中国专利 :CN112216689A ,2021-01-12

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

李信宏 .

中国专利 :CN115347047A ,2022-11-15

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈语同 ;

林建名 ;

许传进 ;

何志伟 ;

何彦仕 .

中国专利 :CN106129026A ,2016-11-16

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

王勤 ;

杨征 .

中国专利 :CN118136644A ,2024-06-04

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

王鹤飞 ;

骆志炯 ;

刘佳 .

中国专利 :CN102456734B ,2012-05-16

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

邱达伟 ;

江品宏 ;

王家麟 ;

黄伟伦 ;

吕佳纹 ;

林岳璋 .

中国专利 :CN119028976A ,2024-11-26

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

李信宏 .

中国专利 :CN115347047B ,2025-11-21

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