一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110742876.3

申请日：

2021-06-30

公开(公告)号：

CN113483925A

公开(公告)日：

2021-10-08

发明(设计)人：

武斌许克宇

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家社区观光路汇业科技园厂房3栋C区第3层第301-308号（3层304）

IPC主分类号：

G01L122

IPC分类号：

G01L904 B81B300 B81C100

代理机构：

深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309

代理人：

廉红果

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01L 1/22 申请日:20210630
2021-10-08	公开	公开
2021-11-30	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):G01L 1/22 变更事项:申请人变更前:深圳市美思先端电子有限公司变更后:深圳市美思先端电子有限公司变更事项:地址变更前:518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家社区观光路汇业科技园厂房3栋C区第3层第301-308号（3层304）变更后:518000 广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区招商局光明科技园B1B2栋B2-301

共 50 条

[1]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113340486A ,2021-09-03

[2]

一种MEMS压阻式压力传感器 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN215217879U ,2021-12-17

[3]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952B ,2024-03-26

[4]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952A ,2020-08-28

[5]

一种线性渐变梁结构的MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113776703A ,2021-12-10

[6]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

关淘淘 ;

杨芳 ;

黄贤 ;

张大成 ;

王玮 ;

姜博岩 ;

何军 ;

张立 ;

付锋善 ;

李丹 ;

李睿 ;

范泽新 ;

赵前程 .

中国专利 :CN105716750B ,2016-06-29

[7]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

邵锦华 ;

薛惠琼 ;

王玮冰 .

中国专利 :CN118961010A ,2024-11-15

[8]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

黄晓东 ;

张志强 ;

兰之康 ;

秦明 ;

黄见秋 ;

韩磊 .

中国专利 :CN114088257A ,2022-02-25

[9]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

黄贤 ;

张大成 ;

赵丹淇 ;

何军 ;

杨芳 ;

田大宇 ;

刘鹏 ;

王玮 ;

李婷 ;

罗葵 .

中国专利 :CN102944339A ,2013-02-27

[10]

MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

李维平 ;

兰之康 ;

管武干 ;

侯鸿道 .

中国专利 :CN116539196B ,2024-01-19

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