一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610037420.6

申请日：

2016-01-20

公开(公告)号：

CN105716750B

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

关淘淘杨芳黄贤张大成王玮姜博岩何军张立付锋善李丹李睿范泽新赵前程

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

G01L118

IPC分类号：

G01L906

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200

代理人：

俞达成

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-29	公开	公开
2019-03-22	授权	授权
2016-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101671885748 IPC(主分类):G01L 1/18 专利申请号:2016100374206 申请日:20160120

共 50 条

[1]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113340486A ,2021-09-03

[2]

一种MEMS压阻式压力传感器 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN215217879U ,2021-12-17

[3]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113483925A ,2021-10-08

[4]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

黄贤 ;

张大成 ;

赵丹淇 ;

何军 ;

杨芳 ;

田大宇 ;

刘鹏 ;

王玮 ;

李婷 ;

罗葵 .

中国专利 :CN102944339A ,2013-02-27

[5]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952B ,2024-03-26

[6]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

黄晓东 ;

侯赛雅 ;

张鹏飞 ;

张佳 .

中国专利 :CN118392382A ,2024-07-26

[7]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

黄晓东 ;

侯赛雅 ;

张鹏飞 ;

张佳 .

中国专利 :CN118392382B ,2024-12-13

[8]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952A ,2020-08-28

[9]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

李维平 ;

兰之康 .

中国专利 :CN115165174B ,2024-01-30

[10]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

邵锦华 ;

薛惠琼 ;

王玮冰 .

中国专利 :CN118961010A ,2024-11-15

← 1 2 3 4 5 →