一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211031946.5

申请日：

2022-08-26

公开(公告)号：

CN115165174B

公开(公告)日：

2024-01-30

发明(设计)人：

李维平兰之康

申请人：

南京高华科技股份有限公司

申请人地址：

210046 江苏省南京市经济技术开发区栖霞大道66号

IPC主分类号：

G01L1/22

IPC分类号：

G01L9/04 B81B3/00 B81B7/02 B81C1/00

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226

代理人：

李明;赵吉阳

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113340486A ,2021-09-03

[2]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

黄晓东 ;

侯赛雅 ;

张鹏飞 ;

张佳 .

中国专利 :CN118392382A ,2024-07-26

[3]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

黄晓东 ;

侯赛雅 ;

张鹏飞 ;

张佳 .

中国专利 :CN118392382B ,2024-12-13

[4]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

关淘淘 ;

杨芳 ;

黄贤 ;

张大成 ;

王玮 ;

姜博岩 ;

何军 ;

张立 ;

付锋善 ;

李丹 ;

李睿 ;

范泽新 ;

赵前程 .

中国专利 :CN105716750B ,2016-06-29

[5]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

黄贤 ;

张大成 ;

赵丹淇 ;

何军 ;

杨芳 ;

田大宇 ;

刘鹏 ;

王玮 ;

李婷 ;

罗葵 .

中国专利 :CN102944339A ,2013-02-27

[6]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

邵锦华 ;

薛惠琼 ;

王玮冰 .

中国专利 :CN118961010A ,2024-11-15

[7]

MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

李维平 ;

兰之康 ;

管武干 ;

侯鸿道 .

中国专利 :CN116539196B ,2024-01-19

[8]

一种MEMS压阻式压力传感器 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN215217879U ,2021-12-17

[9]

一种微型MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

许马会 ;

赵钿 ;

刘新元 ;

陈川浩 .

中国专利 :CN120467548A ,2025-08-12

[10]

MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法 [P].

张威 ;

张大成 ;

刘蓓 ;

李婷 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1193218C ,2003-07-30

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