MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03104784.X

申请日：

2003-02-28

公开(公告)号：

CN1193218C

公开(公告)日：

2003-07-30

发明(设计)人：

张威张大成刘蓓李婷王阳元

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

G01L906

IPC分类号：

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

余长江

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101655730021 IPC(主分类):G01L 9/06 专利号:ZL03104784X 申请日:20030228 授权公告日:20050316 终止日期:20150228
2005-03-16	授权	授权
2003-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-07-30	公开	公开

共 50 条

[1]

MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

李维平 ;

兰之康 ;

管武干 ;

侯鸿道 .

中国专利 :CN116539196B ,2024-01-19

[2]

MEMS压阻式压力传感器 [P].

刘国鑫 ;

陈涛 ;

印青 ;

张光华 .

中国专利 :CN117405267A ,2024-01-16

[3]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952B ,2024-03-26

[4]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113340486A ,2021-09-03

[5]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

黄晓东 ;

侯赛雅 ;

张鹏飞 ;

张佳 .

中国专利 :CN118392382A ,2024-07-26

[6]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113483925A ,2021-10-08

[7]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

黄晓东 ;

侯赛雅 ;

张鹏飞 ;

张佳 .

中国专利 :CN118392382B ,2024-12-13

[8]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

黄晓东 ;

张志强 ;

兰之康 ;

秦明 ;

黄见秋 ;

韩磊 .

中国专利 :CN114088257A ,2022-02-25

[9]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

王耀 ;

管武干 .

中国专利 :CN118730355A ,2024-10-01

[10]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

关淘淘 ;

杨芳 ;

黄贤 ;

张大成 ;

王玮 ;

姜博岩 ;

何军 ;

张立 ;

付锋善 ;

李丹 ;

李睿 ;

范泽新 ;

赵前程 .

中国专利 :CN105716750B ,2016-06-29

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