一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410958947.7

申请日：

2024-07-17

公开(公告)号：

CN118730355A

公开(公告)日：

2024-10-01

发明(设计)人：

兰之康王耀管武干

申请人：

南京高华科技股份有限公司

申请人地址：

210046 江苏省南京市经济技术开发区栖霞大道66号

IPC主分类号：

G01L1/22

IPC分类号：

G01L9/04 B81C1/00

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226

代理人：

李明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01L 1/22申请日:20240717
2024-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

黄晓东 ;

侯赛雅 ;

张鹏飞 ;

张佳 .

中国专利 :CN118392382A ,2024-07-26

[2]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

黄晓东 ;

侯赛雅 ;

张鹏飞 ;

张佳 .

中国专利 :CN118392382B ,2024-12-13

[3]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

黄晓东 ;

张志强 ;

兰之康 ;

秦明 ;

黄见秋 ;

韩磊 .

中国专利 :CN114088257A ,2022-02-25

[4]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

邵锦华 ;

薛惠琼 ;

王玮冰 .

中国专利 :CN118961010A ,2024-11-15

[5]

MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

李维平 ;

兰之康 ;

管武干 ;

侯鸿道 .

中国专利 :CN116539196B ,2024-01-19

[6]

MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法 [P].

张威 ;

张大成 ;

刘蓓 ;

李婷 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1193218C ,2003-07-30

[7]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952B ,2024-03-26

[8]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113340486A ,2021-09-03

[9]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113483925A ,2021-10-08

[10]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

关淘淘 ;

杨芳 ;

黄贤 ;

张大成 ;

王玮 ;

姜博岩 ;

何军 ;

张立 ;

付锋善 ;

李丹 ;

李睿 ;

范泽新 ;

赵前程 .

中国专利 :CN105716750B ,2016-06-29

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