MEMS压阻式压力传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311346780.0

申请日：

2023-10-18

公开(公告)号：

CN117405267A

公开(公告)日：

2024-01-16

发明(设计)人：

刘国鑫陈涛印青张光华

申请人：

苏州锐光科技有限公司

申请人地址：

210000 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号

IPC主分类号：

G01L1/20

IPC分类号：

代理机构：

深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260

代理人：

徐民奎

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01L 1/20申请日:20231018
2024-01-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MEMS压阻式压力传感器 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN215217879U ,2021-12-17

[2]

压阻式压力传感器 [P].

李刚 ;

胡维 ;

吕萍 .

中国专利 :CN204085748U ,2015-01-07

[3]

压阻式压力传感器 [P].

解朝政 ;

解征华 .

中国专利 :CN223389330U ,2025-09-26

[4]

压阻式MEMS压力传感器 [P].

刘俊 ;

丁金玲 ;

刘建华 .

中国专利 :CN222784222U ,2025-04-22

[5]

MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法 [P].

张威 ;

张大成 ;

刘蓓 ;

李婷 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1193218C ,2003-07-30

[6]

一种MEMS压阻式压力传感器 [P].

张增星 ;

刘丹 ;

薛晨阳 ;

高瑞 .

中国专利 :CN216081842U ,2022-03-18

[7]

MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

李维平 ;

兰之康 ;

管武干 ;

侯鸿道 .

中国专利 :CN116539196B ,2024-01-19

[8]

MEMS硅压阻式气体压力传感器 [P].

张建国 ;

杨格 ;

王海峰 ;

陈建环 ;

郑灿林 .

中国专利 :CN114061824A ,2022-02-18

[9]

压阻式压力传感器 [P].

姜润翔 ;

贾亦卓 ;

龚沈光 ;

李俊 ;

张伽伟 .

中国专利 :CN202693188U ,2013-01-23

[10]

压阻式压力传感器 [P].

王勇发 ;

T-D·范 .

美国专利 :CN120992094A ,2025-11-21

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