一种MEMS压阻式压力传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121475883.3

申请日：

2021-06-30

公开(公告)号：

CN215217879U

公开(公告)日：

2021-12-17

发明(设计)人：

武斌许克宇

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区招商局光明科技园B1B2栋B2-301

IPC主分类号：

G01L122

IPC分类号：

G01L904 B81B300 B81C100

代理机构：

深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309

代理人：

廉红果

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113340486A ,2021-09-03

[2]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN113483925A ,2021-10-08

[3]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952B ,2024-03-26

[4]

一种MEMS压阻式压力传感器 [P].

张增星 ;

刘丹 ;

薛晨阳 ;

高瑞 .

中国专利 :CN216081842U ,2022-03-18

[5]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

关淘淘 ;

杨芳 ;

黄贤 ;

张大成 ;

王玮 ;

姜博岩 ;

何军 ;

张立 ;

付锋善 ;

李丹 ;

李睿 ;

范泽新 ;

赵前程 .

中国专利 :CN105716750B ,2016-06-29

[6]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952A ,2020-08-28

[7]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

邵锦华 ;

薛惠琼 ;

王玮冰 .

中国专利 :CN118961010A ,2024-11-15

[8]

MEMS压阻式压力传感器 [P].

刘国鑫 ;

陈涛 ;

印青 ;

张光华 .

中国专利 :CN117405267A ,2024-01-16

[9]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

黄贤 ;

张大成 ;

赵丹淇 ;

何军 ;

杨芳 ;

田大宇 ;

刘鹏 ;

王玮 ;

李婷 ;

罗葵 .

中国专利 :CN102944339A ,2013-02-27

[10]

一种爆炸场MEMS压阻式压力传感器 [P].

康昊 ;

严家佳 ;

陈君 ;

何性顺 ;

张俊峰 ;

王丹 ;

叶希洋 ;

姬建荣 ;

苏健军 .

中国专利 :CN113483926B ,2021-10-08

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