一种MEMS压阻式压力传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202122838774.X

申请日：

2021-11-18

公开(公告)号：

CN216081842U

公开(公告)日：

2022-03-18

发明(设计)人：

张增星刘丹薛晨阳高瑞

申请人：

申请人地址：

030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号

IPC主分类号：

G01L118

IPC分类号：

代理机构：

广东奥益专利代理事务所(普通合伙) 44842

代理人：

田树杰

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MEMS压阻式压力传感器 [P].

武斌 ;

许克宇 .

中国专利 :CN215217879U ,2021-12-17

[2]

MEMS压阻式压力传感器 [P].

刘国鑫 ;

陈涛 ;

印青 ;

张光华 .

中国专利 :CN117405267A ,2024-01-16

[3]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952B ,2024-03-26

[4]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

黄晓东 ;

张志强 ;

兰之康 ;

秦明 ;

黄见秋 ;

韩磊 .

中国专利 :CN114088257A ,2022-02-25

[5]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

高程武 ;

张大成 ;

杨芳 ;

程垒健 ;

余润泽 ;

李凤阳 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN111591952A ,2020-08-28

[6]

一种MEMS压阻式压力传感器及压阻排布方法 [P].

李婷 ;

尚海平 ;

王玮冰 .

中国专利 :CN114152369A ,2022-03-08

[7]

一种MEMS压阻式压力传感器及压阻排布方法 [P].

李婷 ;

尚海平 ;

王玮冰 .

中国专利 :CN114152369B ,2024-10-08

[8]

一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器 [P].

张增星 ;

高瑞 ;

薛晨阳 ;

王永华 ;

郑建毅 .

中国专利 :CN221725439U ,2024-09-17

[9]

一种压阻式压力传感器 [P].

许克宇 ;

武斌 ;

申涛 .

中国专利 :CN216669075U ,2022-06-03

[10]

压阻式压力传感器的温度补偿电路及压阻式压力传感器 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN223412851U ,2025-10-03

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