一种封闭的SiC单晶生长装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621345334.3

申请日：

2016-12-09

公开(公告)号：

CN206244923U

公开(公告)日：

2017-06-13

发明(设计)人：

高宇杨继胜杨昆郑清超

申请人：

申请人地址：

071051 河北省保定市北二环路5699号大学科技园6号楼B座四楼

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

北京连城创新知识产权代理有限公司 11254

代理人：

郝学江

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20161209 授权公告日:20170613 终止日期:20201209
2017-06-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种SiC单晶PVT生长装置 [P].

刘新辉 ;

杨昆 ;

牛晓龙 ;

路亚娟 ;

郑清超 .

中国专利 :CN207738893U ,2018-08-17

[2]

SiC单晶生长装置和SiC单晶的生长方法 [P].

金田一麟平 ;

奥野好成 ;

庄内智博 .

中国专利 :CN110408988A ,2019-11-05

[3]

一种SiC体单晶的生长装置 [P].

陈治明 ;

李留臣 .

中国专利 :CN201420112Y ,2010-03-10

[4]

一种低氮含量SiC单晶生长装置 [P].

胡小波 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

彭燕 ;

杨祥龙 .

中国专利 :CN208717470U ,2019-04-09

[5]

一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚 [P].

张新峰 ;

龙安泽 ;

周彩云 ;

杜陈 .

中国专利 :CN216514245U ,2022-05-13

[6]

一种半绝缘SiC单晶的生长装置 [P].

杨昆 ;

高宇 ;

郑清超 .

中国专利 :CN206244919U ,2017-06-13

[7]

SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法 [P].

胡章贵 ;

王佳楠 .

中国专利 :CN113322510A ,2021-08-31

[8]

坩埚和SiC单晶生长装置 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN110408996A ,2019-11-05

[9]

一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置 [P].

廖弘基 ;

张洁 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN208308999U ,2019-01-01

[10]

一种可重复使用坩埚的SiC单晶生长装置 [P].

廖弘基 ;

张洁 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN208293118U ,2018-12-28

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