一种SiC单晶PVT生长装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721878372.X

申请日：

2017-12-28

公开(公告)号：

CN207738893U

公开(公告)日：

2018-08-17

发明(设计)人：

刘新辉杨昆牛晓龙路亚娟郑清超

申请人：

申请人地址：

071051 河北省保定市北二环路5699号大学科技园6号楼B座四楼

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

北京连城创新知识产权代理有限公司 11254

代理人：

刘伍堂

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-17	授权	授权
2022-03-01	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 29/36 变更事项:专利权人变更前:河北同光晶体有限公司变更后:河北同光半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:071051 河北省保定市北二环路5699号大学科技园6号楼B座四楼变更后:071066 河北省保定市北三环6001号

共 50 条

[1]

一种PVT法SiC单晶生长坩埚 [P].

刘鹏飞 ;

高超 ;

刘家朋 .

中国专利 :CN209082038U ,2019-07-09

[2]

一种PVT法SiC单晶生长坩埚 [P].

邱艳丽 ;

李天运 .

中国专利 :CN222064715U ,2024-11-26

[3]

一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘 [P].

包文东 ;

陈吉堃 ;

陈诺夫 ;

惠峰 ;

陆贵兵 ;

普世坤 ;

林作亮 ;

胡文瑞 .

中国专利 :CN212103066U ,2020-12-08

[4]

一种低氮含量SiC单晶生长装置 [P].

胡小波 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

彭燕 ;

杨祥龙 .

中国专利 :CN208717470U ,2019-04-09

[5]

一种封闭的SiC单晶生长装置 [P].

高宇 ;

杨继胜 ;

杨昆 ;

郑清超 .

中国专利 :CN206244923U ,2017-06-13

[6]

SiC单晶生长装置和SiC单晶的生长方法 [P].

金田一麟平 ;

奥野好成 ;

庄内智博 .

中国专利 :CN110408988A ,2019-11-05

[7]

一种用于PVT法生长SiC单晶的装料装置及装料方法 [P].

刘新辉 ;

杨昆 ;

张福生 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 ;

郑清超 .

中国专利 :CN110565167A ,2019-12-13

[8]

一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法 [P].

谢雪健 ;

胡国杰 ;

徐现刚 ;

彭燕 ;

胡小波 ;

陈秀芳 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN114540943A ,2022-05-27

[9]

一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置 [P].

廖弘基 ;

张洁 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN208308999U ,2019-01-01

[10]

SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法 [P].

胡章贵 ;

王佳楠 .

中国专利 :CN113322510A ,2021-08-31

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