一种用于PVT法生长SiC单晶的装料装置及装料方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910763008.6

申请日：

2019-08-19

公开(公告)号：

CN110565167A

公开(公告)日：

2019-12-13

发明(设计)人：

刘新辉杨昆张福生路亚娟牛晓龙郑清超

申请人：

申请人地址：

071000 河北省保定市北三环6001号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

北京汇信合知识产权代理有限公司 11335

代理人：

戴凤仪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-13	公开	公开
2020-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20190819
2022-01-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/36 申请公布日:20191213

共 50 条

[1]

一种PVT法SiC单晶生长坩埚 [P].

刘鹏飞 ;

高超 ;

刘家朋 .

中国专利 :CN209082038U ,2019-07-09

[2]

一种用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及其应用 [P].

胡国杰 ;

胡小波 ;

于国建 .

中国专利 :CN119824526A ,2025-04-15

[3]

一种SiC单晶PVT生长装置 [P].

刘新辉 ;

杨昆 ;

牛晓龙 ;

路亚娟 ;

郑清超 .

中国专利 :CN207738893U ,2018-08-17

[4]

一种PVT法SiC单晶生长坩埚 [P].

邱艳丽 ;

李天运 .

中国专利 :CN222064715U ,2024-11-26

[5]

一种用于PVT法生长碳化硅晶体的装料装置 [P].

尚远航 ;

路亚娟 .

中国专利 :CN210341128U ,2020-04-17

[6]

一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构 [P].

包文东 ;

陈吉堃 ;

陈诺夫 ;

惠峰 ;

陆贵兵 ;

普世坤 ;

林作亮 ;

胡文瑞 .

中国专利 :CN212103061U ,2020-12-08

[7]

一种装料装置、石墨化炉及装料方法 [P].

李伟红 ;

王自东 ;

王强 ;

陈凯旋 ;

蔡书汉 ;

罗梦演 ;

林太平 ;

马文斌 ;

张祖恒 ;

龚德旺 .

中国专利 :CN119374377A ,2025-01-28

[8]

单晶体生产的装料方法及预装料坩埚 [P].

孟涛 ;

闫永兵 .

中国专利 :CN102995110A ,2013-03-27

[9]

一种装料装置、石墨化炉及装料方法 [P].

李伟红 ;

王自东 ;

王强 ;

陈凯旋 ;

蔡书汉 ;

罗梦演 ;

林太平 ;

马文斌 ;

张祖恒 ;

龚德旺 .

中国专利 :CN119374377B ,2025-09-09

[10]

溶液法生长SiC单晶的方法 [P].

陈小龙 ;

王国宾 ;

郭建刚 ;

李辉 ;

王文军 ;

盛达 .

中国专利 :CN116121870B ,2025-07-01

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