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一种PVT法SiC单晶生长坩埚

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202323377927.0
申请日：
2023-12-12
公开(公告)号：
CN222064715U
公开(公告)日：
2024-11-26
发明(设计)人：
邱艳丽 李天运
申请人：
合肥世纪金芯半导体有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市高新区长宁大道与长安路交叉口集成电路产业园一期A-1号楼1层西边（102）、A-1号楼3层西边（302）
IPC主分类号：
C30B23/00
IPC分类号：
C30B29/36
代理机构：
安徽歌途知识产权代理事务所(普通合伙) 34282
代理人：
向杰
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-11 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):C30B 23/00登记生效日:20250117变更事项:专利权人变更前权利人:合肥世纪金芯半导体有限公司变更后权利人:上海界纪进出口有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:230000 安徽省合肥市高新区长宁大道与长安路交叉口集成电路产业园一期A-1号楼1层西边（102）、A-1号楼3层西边（302）变更后权利人:201206 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区浙桥路289弄2号1507室
2025-08-01 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):C30B 23/00登记生效日:20250717变更事项:专利权人变更前权利人:上海界纪进出口有限公司变更后权利人:上海宇清化工科技有限责任公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区浙桥路289弄2号1507室变更后权利人:201512 上海市金山区金山卫镇秋实路688号1号楼5单元200室Y座
2024-11-26 授权 授权
共 50 条
[1]
一种PVT法SiC单晶生长坩埚 [P]. 
刘鹏飞 ;
高超 ;
刘家朋 .
中国专利 :CN209082038U ,2019-07-09
[2]
一种SiC单晶PVT生长装置 [P]. 
刘新辉 ;
杨昆 ;
牛晓龙 ;
路亚娟 ;
郑清超 .
中国专利 :CN207738893U ,2018-08-17
[3]
SiC单晶生长用坩埚 [P]. 
野口骏介 ;
大矢信之 .
中国专利 :CN109715868A ,2019-05-03
[4]
一种PVT法单晶生长炉 [P]. 
周振翔 ;
赵欣 ;
何敬晖 ;
李辉 ;
黄存新 ;
彭珍珍 ;
陈建荣 .
中国专利 :CN207944168U ,2018-10-09
[5]
一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘 [P]. 
包文东 ;
陈吉堃 ;
陈诺夫 ;
惠峰 ;
陆贵兵 ;
普世坤 ;
林作亮 ;
胡文瑞 .
中国专利 :CN212103066U ,2020-12-08
[6]
一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构 [P]. 
包文东 ;
陈吉堃 ;
陈诺夫 ;
惠峰 ;
陆贵兵 ;
普世坤 ;
林作亮 ;
胡文瑞 .
中国专利 :CN212103061U ,2020-12-08
[7]
坩埚和SiC单晶生长装置 [P]. 
藤川阳平 .
中国专利 :CN110408996A ,2019-11-05
[8]
一种PVT法SiC单晶生长炉真空压力控制系统 [P]. 
朱彦林 .
中国专利 :CN222666103U ,2025-03-25
[9]
一种用于PVT法生长SiC单晶的装料装置及装料方法 [P]. 
刘新辉 ;
杨昆 ;
张福生 ;
路亚娟 ;
牛晓龙 ;
郑清超 .
中国专利 :CN110565167A ,2019-12-13
[10]
一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚 [P]. 
张新峰 ;
龙安泽 ;
周彩云 ;
杜陈 .
中国专利 :CN216514245U ,2022-05-13
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