一种PVT法SiC单晶生长炉真空压力控制系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421478946.4

申请日：

2024-06-26

公开(公告)号：

CN222666103U

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

朱彦林

申请人：

重庆原石智能装备有限公司

申请人地址：

401133 重庆市江北区两江新区鱼嘴镇永和路39号10层1021

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B23/00

代理机构：

重庆博凯知识产权代理有限公司 50212

代理人：

万霞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种PVT法单晶生长炉 [P].

周振翔 ;

赵欣 ;

何敬晖 ;

李辉 ;

黄存新 ;

彭珍珍 ;

陈建荣 .

中国专利 :CN207944168U ,2018-10-09

[2]

碳化硅单晶生长炉的压力控制系统 [P].

黄鸣 ;

丁文革 .

中国专利 :CN202705569U ,2013-01-30

[3]

一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统 [P].

王利杰 ;

郝建民 ;

王香泉 ;

孟大磊 ;

洪颖 ;

郭俊敏 .

中国专利 :CN201842897U ,2011-05-25

[4]

一种SiC单晶生长炉真空尾气系统控制方法 [P].

杨钦淞 .

中国专利 :CN118621431A ,2024-09-10

[5]

一种PVT法SiC单晶生长坩埚 [P].

刘鹏飞 ;

高超 ;

刘家朋 .

中国专利 :CN209082038U ,2019-07-09

[6]

一种PVT法SiC单晶生长坩埚 [P].

邱艳丽 ;

李天运 .

中国专利 :CN222064715U ,2024-11-26

[7]

一种激光晶体单晶生长炉的称重法直径控制系统 [P].

张城 ;

徐淑文 ;

夏孝平 .

中国专利 :CN120537038A ,2025-08-26

[8]

一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构 [P].

包文东 ;

陈吉堃 ;

陈诺夫 ;

惠峰 ;

陆贵兵 ;

普世坤 ;

林作亮 ;

胡文瑞 .

中国专利 :CN212103061U ,2020-12-08

[9]

一种SiC单晶PVT生长装置 [P].

刘新辉 ;

杨昆 ;

牛晓龙 ;

路亚娟 ;

郑清超 .

中国专利 :CN207738893U ,2018-08-17

[10]

一种电阻法单晶生长炉 [P].

李留臣 ;

周正星 ;

程绪高 ;

周洁 .

中国专利 :CN217997403U ,2022-12-09

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