一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020485292.3

申请日：

2020-04-07

公开(公告)号：

CN212103066U

公开(公告)日：

2020-12-08

发明(设计)人：

包文东陈吉堃陈诺夫惠峰陆贵兵普世坤林作亮胡文瑞

申请人：

申请人地址：

677000 云南省临沧市临翔区忙畔街道忙畔社区喜鹊窝组168号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

昆明祥和知识产权代理有限公司 53114

代理人：

董昆生

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法 [P].

包文东 ;

陈吉堃 ;

陈诺夫 ;

惠峰 ;

陆贵兵 ;

普世坤 ;

林作亮 ;

胡文瑞 .

中国专利 :CN111321469A ,2020-06-23

[2]

一种SiC单晶生长籽晶粘接压盘 [P].

毛开礼 ;

王英民 ;

李斌 ;

徐伟 ;

周立平 ;

田牧 ;

姜志艳 .

中国专利 :CN202164388U ,2012-03-14

[3]

一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构 [P].

包文东 ;

陈吉堃 ;

陈诺夫 ;

惠峰 ;

陆贵兵 ;

普世坤 ;

林作亮 ;

胡文瑞 .

中国专利 :CN212103061U ,2020-12-08

[4]

一种SiC单晶PVT生长装置 [P].

刘新辉 ;

杨昆 ;

牛晓龙 ;

路亚娟 ;

郑清超 .

中国专利 :CN207738893U ,2018-08-17

[5]

一种PVT法SiC单晶生长坩埚 [P].

刘鹏飞 ;

高超 ;

刘家朋 .

中国专利 :CN209082038U ,2019-07-09

[6]

一种PVT法SiC单晶生长坩埚 [P].

邱艳丽 ;

李天运 .

中国专利 :CN222064715U ,2024-11-26

[7]

一种PVT法单晶生长炉 [P].

周振翔 ;

赵欣 ;

何敬晖 ;

李辉 ;

黄存新 ;

彭珍珍 ;

陈建荣 .

中国专利 :CN207944168U ,2018-10-09

[8]

一种碳化硅单晶生长中籽晶粘接的方法 [P].

何丽娟 ;

刘欣宇 ;

张云伟 ;

靳丽婕 .

中国专利 :CN105696069A ,2016-06-22

[9]

一种生长高质量SiC单晶的籽晶处理方法 [P].

李翠 ;

杨志民 ;

杨立文 ;

蒋秉轩 .

中国专利 :CN103160928A ,2013-06-19

[10]

一种籽晶粘接胶及籽晶粘接方法 [P].

杨弥珺 ;

罗烨栋 ;

赵新田 ;

黄晓阳 .

中国专利 :CN114106756A ,2022-03-01

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