溶液法生长SiC单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211356676.5

申请日：

2022-11-01

公开(公告)号：

CN116121870B

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

陈小龙王国宾郭建刚李辉王文军盛达

申请人：

中国科学院物理研究所

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B15/00

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

郭广迅

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	授权	授权

共 50 条

[1]

用于制备n型SiC单晶的方法 [P].

陈小龙 ;

王国宾 ;

李辉 ;

盛达 ;

王文军 ;

郭建刚 .

中国专利 :CN115821362B ,2025-08-29

[2]

用于制备3C-SiC单晶的方法 [P].

陈小龙 ;

李辉 ;

王国宾 ;

盛达 ;

王文军 ;

郭建刚 .

中国专利 :CN115976625B ,2024-03-05

[3]

SiC单晶生长装置和SiC单晶的生长方法 [P].

金田一麟平 ;

奥野好成 ;

庄内智博 .

中国专利 :CN110408988A ,2019-11-05

[4]

SiC单晶生长炉的清理方法 [P].

谷本阳祐 ;

栗原秀行 .

中国专利 :CN108541278A ,2018-09-14

[5]

SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法 [P].

胡章贵 ;

王佳楠 .

中国专利 :CN113322510A ,2021-08-31

[6]

SiC单晶的升华生长 [P].

阿维纳什·K·古普塔 ;

伊利娅·茨维巴克 ;

爱德华·西门纳斯 ;

瓦拉塔拉詹·伦加拉詹 ;

马库斯·L·盖特金 .

中国专利 :CN102596804A ,2012-07-18

[7]

低温高速生长SiC单晶的助熔剂 [P].

雷云 ;

马文会 ;

谢克强 ;

吕国强 ;

伍继君 ;

魏奎先 ;

秦博 ;

李绍元 ;

刘占伟 ;

于洁 ;

戴永年 .

中国专利 :CN106119951A ,2016-11-16

[8]

SiC单晶生长用坩埚、SiC单晶的制造方法及SiC单晶制造装置 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN111424311B ,2020-07-17

[9]

单晶生长炉（SiC） [P].

姚恒 ;

姚泰 .

中国专利 :CN306856378S ,2021-09-28

[10]

一种低温溶液法生长SiC晶体的方法 [P].

雷云 ;

邓幻 ;

雷敏鹏 ;

李鹏 ;

马文会 ;

母凤文 ;

郭超 .

中国专利 :CN116145258B ,2025-05-23

← 1 2 3 4 5 →